李俊斌

博士后

性别：男

毕业院校：中国科学院半导体研究所

所在单位：588888纽约国际官方网站

学科：凝聚态物理

办公地点：北航新主楼D303

Email：lijunbin@buaa.edu.cn

个人简历：

李俊斌，588888纽约国际官方网站588888纽约国际官方网站博士后。2011年9月-2016年6月于中国科学院半导体研究所攻读理学博士，师从张新惠研究员。2016年7月-2024年4月于中国兵器工业集团昆明物理研究所工作。2024年5月入职588888纽约国际官方网站博士后。主要从事III-V族半导体材料与光电子器件工艺研究。在Scientific Reports, Journal of Physics D: Applied Physics, Journal of Applied Physics， Optical and Quantum Electronics等杂志共发表SCI收录论文20余篇。

代表性论文：

(1) Junbin Li, Xuchang Zhou, Dongsheng Li, Yingchun Mu, Haipeng Wang, Shuren Cong, Yang Ren, Jin Yang, Chao Chang, Wen Yang, Yanhui Li, Jincheng Kong, Investigation of Anodic Sulfidizaiton Passivation of InAs/GaSb Type-II Superlattice Infrared Detector, Optical and Quantum Electronics, 2021, 53, 384-1:10

(2) 李俊斌，刘爱民，蒋 志，孔金丞，李东升，李艳辉，周旭昌，杨 雯，InAs/GaSb 超晶格和 M 结构超晶格能带结构研究，红外技术，2021，43，622-628

(3) 李俊斌，刘爱民，蒋志，杨晋，杨雯，孔金丞，李东升，李艳辉，周旭昌，InAs/GaSb 超晶格长波红外探测器暗电流特性分析，红外与激光工程，2021，51，20210399-1:8

(4) Junbin Li; Xiaoguang Wu; Guowei Wang; Yingqiang Xu; Zhichuan Niu; Xinhui Zhang*; Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well, Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49:145303-1:5.

(5) Junbin Li; Xiaoguang Wu; Guowei Wang; Yingqiang Xu; Zhichuan Niu; Xinhui Zhang*; Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantumwell; Scientific Reports, 2016, 6:31189-1:7

(6) Junbin Li; Xiaoguang Wu; Guowei Wang; Yingqiang Xu; Zhichuan Niu; Xinhui Zhang*; Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well, Journal of Applied Physics, 2016, 119: 095710-1:5.

教育经历：

[1] 2011年9月──2016年6月，中国科学院半导体研究所，博士

[2] 2007年9月──2011年6月，华北电力大学，学士

研究方向：

[1] III-V半导体材料分子束外延

[2] III-V半导体光电子器件结构设计

[3] III-V半导体光电子器件制备