程厚义

博士后

性别：男

出生年月：1996年11月20日

毕业院校：588888纽约国际官方网站

学位：博士学位

所在单位：588888纽约国际官方网站

学科：集成电路科学与工程

办公地点：北航第一馆224

邮箱：hycheng@buaa.edu.cn

个人简历：

程厚义，588888纽约国际官方网站博士后。2023年获588888纽约国际官方网站博士学位，师从赵巍胜教授和赵超研究员。2023年12月入选588888纽约国际官方网站“卓越百人博士后支持计划”。目前主要从事集成电路薄膜装备和工艺的基础及应用研究。作为技术骨干参与了基金委重大科研仪器研发项目、核高基重大专项子课题、安徽省科技重大专项等多个装备研发项目。以一作、共同一作在Advanced Electronic Materials，Science China Physics, Mechanics & Astronomy，Review of Scientific Instruments等期刊上发表科研论文十余篇。带领团队自主研发了多款高精度薄膜沉积装备，多项技术实现成果转化，获授权中国发明专利6项，参编并获批准团体标准两项。成果获2023年中国仪器仪表学会技术发明奖，中国国际大学生创新大赛全国金奖（负责人）等奖励。

代表性论文：

1、 Cheng H, Zhang B, Eimer S, et. al. An integrated ultra-high vacuum cluster for atomic-scale deposition interface regulation and characterization of spintronic multilayers, Review of Scientific Instruments, 2023, 94(7).

2、 Cheng H, Zhang B, Xu Y, et. al. Mo-based Perpendicularly Magnetized Thin Films with Low-damping for Fast and Low-power Consumption Magnetic Memory, Science China Physics, Mechanics & Astronomy, 2022, 65(8): 287511.

3、Cheng H, Chen J, Peng S, et. al. Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo-Based Double-Interface Free Layer Structure for Advanced Magnetic Tunnel Junctions，Advanced Electronic Materials, 2020, 6(8): 2000271.

4、 Eimer S, Cheng H, Li J, et. al. Perpendicular magnetic anisotropy based spintronics devices in Pt/Co stacks under different hard and flexible substrates, Science China-Information Sciences, 2023, 66(2): 122408. (共同一作)

5、Liu Y, Cheng H, Xu Y, et. al. Separation of emission mechanisms in spintronic terahertz emitters, Physical Review B, 2021, 104(6): 064419. (共同一作)

6、Chen R, Cheng H, Wang X, et. al. Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures, Cell Reports Physical Science, 2021, 2(11). (共同一作)

7、Jiang Y, Zhang X, Cheng H, et al. Resonance cavity-enhanced all-optical switching in a GdCo alloy absorber[J]. Photonics Research, 2023, 11(11): 1870-1879. (共同一作)

8、 Liu Y, Cheng H, Vallobra P, et. al. Ultrafast Single Pulse Switching of Tb-dominant CoTb Alloy，Applied Physical letters，2023, 122(2). (共同一作)

9、 Xu S, Dai B, Cheng H, et. al. Electric-Field Control of Spin Diffusion Length and Electric-Assisted D’yakonov–Perel’ Mechanism in Ultrathin Heavy Metal and Ferromagnetic Insulator Heterostructure，Materials，2022, 15(18): 6368. (共同一作)

10、 Yao Y, Cheng H, Zhang B, et. al. Tunneling Magnetoresistance Materials and Devices for Neuromorphic Computing，Materials Futures. (共同一作)